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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.07 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP51TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| BCP52 | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| BCP52 | DIODES |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 |
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| BCP52 | WINNERJOIN |
获取价格 |
TRANSISTOR (PNP) |
|
| BCP52 | TYSEMI |
获取价格 |
High collector current 1.3 W power dissipation.Collector current IC -1 A |
|
| BCP52 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Medium Power Transistors |
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| BCP52 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MEDIUM POWER AMPLIFIER |
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| BCP52 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
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| BCP52 | NXP |
获取价格 |
PNP medium power transistors |
|
| BCP52 | ONSEMI |
获取价格 |
PNP 通用放大器 |
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