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BCP52

更新时间： 2024-02-22 14:58:31

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体放大器晶体管开关功率放大器光电二极管 PC
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MEDIUM POWER AMPLIFIER

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BCP52 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

BCP52 数据手册

BCP52/53

MEDIUM POWER AMPLIFIER

ADVANCE DATA

■

SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP

TRANSISTORS

MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR

APPLICATION IN SURFACE MOUNTING

CIRCUITS

■

GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED

FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL

APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER

OUTPUT STAGE

NPN COMPLEMENTS ARE BCP55 AND

BCP56 RESPECTIVELY

SOT-223

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

BCP52

-60

BCP53

-100

-80

V_CBO

V_CEO

V_CER

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Collector-Emitter Voltage (R_BE= 1KΩ)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

-60

-100

-5

-1

I_CM

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

Base Current

-1.5

I_B

-0.1

I_BM

Base Peak Current (t_p< ms)

-0.2

P_tot

T_stg

T_j

Total Dissipation at T_c= 25 C

^oC

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/4

October 1997

12 3 4

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