5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.39 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BCP52-10T | NEXPERIA | 60 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction |
获取价格 |
|
| BCP5210TA | DIODES | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 |
获取价格 |
|
| BCP52-10TA | DIODES | 1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
获取价格 |
|
| BCP52-10-TAPE-13 | NXP | TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
获取价格 |
|
| BCP52-10-TAPE-7 | NXP | TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
获取价格 |
|
| BCP52-10TC | ZETEX | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
获取价格 |
|
资料手册解读：UC3842参数和管脚说明
一文带你了解无源晶振的负载电容为何要加两颗谐振电容CL1和CL2
玻璃管保险丝与陶瓷管保险丝：区别与替代性探讨
PCF8574资料解读：主要参数分析、引脚说明
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
