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BCP28E6327

更新时间： 2024-12-01 20:06:51

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	99K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BCP28E6327 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.52	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	4000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

BCP28E6327 数据手册

BCP 28, BCP 48

PNP Silicon Darlington Transistors

• For general AF applications

• High collector current

• High current gain

• Complementary types: BCP 29/49 (NPN)

C(2,4)

VPS05163

B(1)

E(3)

EHA00008

Type

BCP 28

BCP 48

Marking

BCP 28

BCP 48

Pin Configuration

Package

SOT-223

1 = B

2 = C

3 = E

4 = C

2 = C

3 = E

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

BCP 28

BCP 48

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

CEO

CBO

EBO

500

800

100

200

1.5

Peak base current

Total power dissipation, T = 124 °C

tot

Junction temperature

150

°C

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Junction ambient

K/W

≤75

≤17

thJA

Junction - soldering point

thJS

1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm Cu

Oct-20-1999

12 3 4 5

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