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BCP29E6433

更新时间: 2024-12-01 14:41:03
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

BCP29E6433 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.5外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):4000
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

BCP29E6433 数据手册

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