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BCM846BS

更新时间： 2024-11-14 11:10:35

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安世 - NEXPERIA		/
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12页	681K
描述
NPN/NPN matched double transistorProduction

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BCM846BS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.5
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	65 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

BCM846BS 数据手册

BCM846BS

NPN/NPN matched double transistor

26 June 2015

Product data sheet

1. General description

NPN/NPN matched double transistor in a very small SOT363 (TSSOP6) Surface-

Mounted Device (SMD) plastic package. The transistors are fully isolated internally.

2. Features and benefits

Current gain matching

•

Base-emitter voltage matching

Drop-in replacement for standard double transistors

AEC-Q101 qualified

3. Applications

Current mirror

Differential amplifier

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_C

collector current

100

Per transistor

h_FE

DC current gain

V_CE= 5 V; I_C= 2 mA; T_amb= 25 °C

200

290

450

Per device

h_FE1/h_FE2

V_BE1−V_BE2

h_FEmatching

V_BEmatching

[1]

[2]

0.9

[1] The smaller of the two values is taken as numerator.

[2] The smaller of the two values is subtracted from the larger value.

12 3 4 5 6 7...12

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