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BC859CW

更新时间: 2024-02-23 08:12:31
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英飞凌 - INFINEON 晶体驱动器小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 276K
描述
PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

BC859CW 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.09
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:5 pF集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):220
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.65 V
Base Number Matches:1

BC859CW 数据手册

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BC 856W ... BC 860W  
Total power dissipation Ptot = f (T  
* Package mounted on epoxy  
A
*; TS  
)
Collector-base capacitance CCB0 = f (VCB0  
Emitter-base capacitance CEB0 = f (VEB0  
)
)
Permissible pulse load Ptot max/Ptot DC = f (t  
p)  
Transition frequency f  
T
= f (I )  
C
V
CE = 5 V  
Semiconductor Group  
5

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