BC859CW

更新时间： 2024-02-27 08:36:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体驱动器小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	276K
描述
PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC859CW 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.09
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	220
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.65 V
Base Number Matches：	1

BC859CW 数据手册

BC 856W ... BC 860W

Electrical Characteristics

at T = 25 ˚C, unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Values

typ.

Unit

min.

max.

DC characteristics

Collector-emitter breakdown voltage

V(BR)CE0

V(BR)CB0

V(BR)CES

V(BR)EB0

= 10 mA

BC 856W

–

BC 857W, BC 860W

BC 858W, BC 859W

Collector-base breakdown voltage

= 10 µA

BC 856W

–

BC 857W, BC 860W

BC 858W, BC 859W

Collector-emitter breakdown voltage

= 10 µA, VBE = 0

BC 856W

–

BC 857W, BC 860W

BC 858W, BC 859W

Emitter-base breakdown voltage

= 1 µA

–

Collector cutoff current

ICB0

CB = 30 V

–

µA

CB = 30 V, T

= 150 ˚C

DC current gain

–

= 10 µA, VCE = 5 V

BC 856 AW … BC 859 AW

BC 856 BW … BC 860 BW

BC 857 CW … BC 860 CW

–

140

250

480

–

= 2 mA, VCE = 5 V

BC 856 AW … BC 859 AW

BC 856 BW … BC 860 BW

BC 857 CW … BC 860 CW

125

220

420

180

290

520

250

475

800

Collector-emitter saturation voltage¹⁾

VCEsat

VBEsat

VBE(on)

–

250

300

650

= 10 mA, I

= 100 mA, I

= 0.5 mA

= 5 mA

Base-emitter saturation voltage¹⁾

–

700

850

–

= 10 mA, I

= 100 mA, I

= 0.5 mA

= 5 mA

Base-emitter voltage

= 2 mA, VCE = 5 V

= 10 mA, VCE = 5 V

600

–

650

–

750

820

¹⁾Pulse test: t ≤ 300 µs, D = 2 %.

Semiconductor Group

1 234 5 6 7 8

下载PDF

与BC859CW相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC859CW,115	NXP	BC859W; BC860W - PNP general purpose transistors SC-70 3-Pin	获取价格
BC859CW,135	NXP	BC859W; BC860W - PNP general purpose transistors SC-70 3-Pin	获取价格
BC859CW/T1	ETC	TRANSISTOR SOT-323	获取价格
BC859CWE6327	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BC859CWE6433	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BC859CW-TAPE-13	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格