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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | VCEsat-Max： | 0.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC859C,215 | ETC |
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TRANS PNP 30V 0.1A SOT23 |
|
| BC859C,235 | NXP |
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BC859; BC860 - PNP general purpose transistors TO-236 3-Pin |
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| BC859C/E8 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
|
| BC859C/E9 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
|
| BC859C/T1 | ETC |
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TRANSISTOR |
|
| BC859C/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
|
| BC859C-AU | PANJIT |
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SOT-23 |
|
| BC859CBK | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BC859CBKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BC859CD87Z | TI |
获取价格 |
PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
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