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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC859CLT1G
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BC859CLT1G

更新时间： 2024-02-10 00:27:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 172K
描述
General Purpose Transistors PNP Silicon

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BC859CLT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：420
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC859CLT1G 数据手册

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BC856ALT1G Series  
General Purpose  
Transistors  
PNP Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
2
A
EMITTER  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
BC856  
BC857  
V
CEO  
−65  
−45  
−30  
V
BC858, BC859  
3
Collector-Base Voltage  
BC856  
BC857  
V
CBO  
−80  
−50  
−30  
V
1
BC858, BC859  
2
Emitter−Base Voltage  
V
−5.0  
V
EBO  
SOT−23 (TO−236AB)  
CASE 318  
Collector Current − Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
−100  
mAdc  
STYLE 6  
Symbol  
Max  
Unit  
MARKING DIAGRAM  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
xx M G  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
q
JA  
G
1
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
Derate above 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
xx = Device Code  
xx = (Refer to page 6)  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
417  
°C/W  
q
JA  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to +150  
°C  
(Note: Microdot may be in either location)  
stg  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in 99.5% alumina.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
August, 2009 − Rev. 11  
BC856ALT1/D  
 
1234567

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BC859CLT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NSVBC858CLT1G ONSEMI

完全替代

 PNP 双极晶体管
BC859CLT1 ONSEMI

完全替代

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BC858CLT1G ONSEMI

类似代替

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BC859CR NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC859CR13 DIOTEC

获取价格

 		Transistor
BC859CR-TAPE-13 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC859CR-TAPE-7 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC859CS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC859CT/R NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BC859CTA DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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