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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.58 |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC859CE6327 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BC859CE6327HTSA1 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BC859CE6433 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BC859CL | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
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| BC859CL99Z | TI |
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PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| BC859CLT1 | ONSEMI |
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General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
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| BC859CLT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors PNP Silicon |
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| BC859CLT3 | ONSEMI |
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General Purpose Transistors |
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| BC859CLT3G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors PNP Silicon |
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| BC859CMTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor |
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