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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.26 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.65 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC859C/E8 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
|
| BC859C/E9 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
|
| BC859C/T1 | ETC |
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TRANSISTOR |
|
| BC859C/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
|
| BC859C-AU | PANJIT |
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SOT-23 |
|
| BC859CBK | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BC859CBKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BC859CD87Z | TI |
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PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| BC859CE6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BC859CE6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
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