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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.59 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 |
| JESD-609代码： | e3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BC859C,235 | NXP |
类似代替  |
BC859; BC860 - PNP general purpose transistors TO-236 3-Pin |
|
| BC859CMTF | FAIRCHILD |
类似代替 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor |
|
| BC859C | DIOTEC |
类似代替 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC859CTA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BC859C-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BC859C-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BC859CTC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BC859CTR | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BC859CTR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BC859CTR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BC859CTRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BC859CTRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BC859CTRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
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