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BC859CW

更新时间： 2024-02-20 08:04:18

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TYSEMI		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	122K
描述
Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 45 V). Collector-base voltage VCBO -30

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BC859CW 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.09
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	220
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.65 V
Base Number Matches：	1

BC859CW 数据手册

SMD Type

BC859W,BC860W

Features

Low current (max. 100 mA).

Low voltage (max. 45 V).

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

I^C

BC859W BC860W

Unit

-30

-50

-45

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

-5

-100

-200

200

150

Collector current

Peak collector current

I^CM

Peak base current

I^BM

Total power dissipation

Junction temperature

Ptot

T^j

-65 to +150

625

Storage temperature

T^stg

Operating ambient temperature

Thermal resistance from junction to ambient

R^amb

Rth j-a

K/W

4008-318-123

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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