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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.03 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.65 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BC859CW | NEXPERIA | PNP general purpose transistorsProduction |
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| BC859CW | NXP | PNP general purpose transistors |
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| BC859CW | INFINEON | PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain |
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| BC859CW | DIOTEC | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BC859CW | TYSEMI | Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 45 V). Collector-base voltage VCBO -30 |
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| BC859CW | KEXIN | PNP General Purpose Transistor |
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