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BC857CL99Z

更新时间： 2024-11-21 14:27:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 62K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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BC857CL99Z 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：420
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

BC857CL99Z 数据手册

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BC856/857/858/859/860  
Switching and Amplifier Applications  
•
•
•
Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits  
Low Noise: BC859, BC860  
Complement to BC846 ... BC850  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
: BC856  
: BC857/860  
: BC858/859  
-80  
-50  
-30  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: BC856  
: BC857/860  
: BC858/859  
-65  
-45  
-30  
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
-5  
-100  
V
EBO  
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
310  
C
T
T
150  
J
-65 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
-15  
Units  
I
V
V
= -30V, I =0  
nA  
CBO  
CB  
E
h
= -5V, I = -2mA  
110  
800  
FE  
CE  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I = -10mA, I = -0.5mA  
-90  
-250  
-300  
-650  
mV  
mV  
CE  
BE  
BE  
C
B
I = -100mA, I = -5mA  
C
B
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -10mA, I = -0.5mA  
-700  
-900  
mV  
mV  
C
B
I = -100mA, I = -5mA  
C
B
V
V
= -5V, I = -2mA  
-600  
-660  
-750  
-800  
mV  
mV  
CE  
CE  
C
= -5V, I = -10mA  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -5V, I = -10mA  
150  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
C
Output Capacitance  
V
V
= -10V, I =0, f=1MHz  
6
pF  
ob  
CB  
E
NF  
Noise Figure  
: BC856/857/858  
: BC859/860  
: BC859  
= -5V, I = -200µA  
2
1
1.2  
1.2  
10  
4
4
dB  
dB  
dB  
dB  
CE  
C
f=1KHz, R =2KΩ  
G
V
= -5V, I = -200µA  
CE  
C
: BC860  
R =2KΩ, f=30~15000Hz  
2
G
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
12345

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与BC857CL99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857CLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC857CLT1 MOTOROLA

获取价格

 		CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)
BC857CLT1 ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC857CLT1G ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC857CLT3 MOTOROLA

获取价格

 		100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC857CLT3G ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
BC857CM NXP

获取价格

 		PNP general purpose transistors
BC857CM NEXPERIA

获取价格

 		PNP general purpose transistorsProduction
BC857CM BL Galaxy Electrical

获取价格

 		45V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
BC857CM,315 NXP

获取价格

 		BC857M series - PNP general purpose transistors DFN 3-Pin

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