BC857CMTF

更新时间： 2024-10-01 12:54:03

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	150K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC857CMTF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	420	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

BC857CMTF 数据手册

August 2006

BC856- BC860

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Features

•

Switching and Amplifier Applications

Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits

Low Noise: BC859, BC860

Complement to BC846 ... BC850

SOT-23

1. Base 2. Emitter 3. Collector

Absolute Maximum Ratings* T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CBO

Collector-Base Voltage

: BC856

: BC857/860

: BC858/859

-80

-50

-30

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

: BC856

: BC857/860

: BC858/859

-65

-45

-30

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

-5

-100

°C

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

310

T_J

150

T_STG

-65 ~ 150

°C

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Electrical Characteristics* T_a=25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Collector Cut-off Current

DC Current Gain

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

-15

Units

I_CBO

V_CB= -30V, I_E=0

h_FE

V_CE= -5V, I_C= -2mA

110

800

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage I_C= -10mA, I_B= -0.5mA

I_C= -100mA, I_B= -5mA

-90

-250

-300

-650

V_BE(sat)

V_BE(on)

f_T

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= -10mA, I_B= -0.5mA

I_C= -100mA, I_B= -5mA

-700

-900

Base-Emitter On Voltage

V_CE= -5V, I_C= -2mA

V_CE= -5V, I_C= -10mA

-600

-660

-750

-800

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

V_CE= -5V, I_C= -10mA

f=100MHz

150

MHz

C_ob

V_CB= -10V, I_E=0, f=1MHz

Noise Figure

: BC856/857/858

: BC859/860

V_CE= -5V, I_C= -200µA

R_G=2KΩ, f=1KHz

: BC859

: BC860

V_CE= -5V, I_C= -200µA

R_G=2KΩ, f=30~15000Hz

1.2

* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%

BC856- BC860 Rev. B

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

BC857CMTF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC857CE6327	INFINEON	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC857C-13-F	DIODES	类似代替	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23
BC857CLT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors(PNP Silicon)

与BC857CMTF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC857CQ	DIODES	获取价格	PNP, 45V, 0.1A, SOT23
BC857CQ	YANGJIE	获取价格	SOT-23
BC857C-Q	NEXPERIA	获取价格	65 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction
BC857CQ-7-F	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BC857CQA	NEXPERIA	获取价格	45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
BC857CQAZ	ETC	获取价格	TRANS PNP 45V 0.1A SOT1215
BC857CQB-Q	NEXPERIA	获取价格	45 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction
BC857CQC	NEXPERIA	获取价格	45 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction
BC857CQC-Q	NEXPERIA	获取价格	45 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction
BC857CR	CENTRAL	获取价格	45V,100mA,350mW Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier

与BC857CMTF相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

34
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

28
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

27
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC857CMTF

BC857CMTF 技术参数

BC857CMTF 数据手册

BC857CMTF 替代型号

与BC857CMTF相关器件

与BC857CMTF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC857CMTF

BC857CMTF 技术参数

BC857CMTF 数据手册

BC857CMTF 替代型号

与BC857CMTF相关器件

与BC857CMTF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？