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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC857CLT1
BC857CLT1 PDF预览

BC857CLT1

更新时间： 2024-11-20 22:54:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 252K
描述
CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)

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BC857CLT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：4.5 pF
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：420JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：0.225 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.65 V
Base Number Matches：1

BC857CLT1 数据手册

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by BC856ALT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
Motorola Preferred Devices  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol BC856 BC857 BC858  
Unit  
V
3
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
V
V
–65  
–80  
–45  
–50  
–30  
–30  
CEO  
CBO  
EBO  
1
V
2
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
V
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board, (1)  
= 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
T
A
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
556  
°C/W  
JA  
D
P
Alumina Substrate, (2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
°C/W  
°C  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BC856ALT1 = 3A; BC856BLT1 = 3B; BC857ALT1 = 3E; BC857BLT1 = 3F;  
BC857CLT1 = 3G; BC858ALT1 = 3J; BC858BLT1 = 3K; BC858CLT1 = 3L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mA)  
C
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
–65  
–45  
–30  
—
—
—
—
—
—
V
(BR)CEO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
–80  
–50  
–30  
—
—
—
—
—
—
V
V
V
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = –10 µA, V  
C EB  
= 0)  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 A)  
C
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
V
–80  
–50  
–30  
—
—
—
—
—
—
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –1.0 A)  
E
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
–5.0  
–5.0  
–5.0  
—
—
—
—
—
—
Collector Cutoff Current (V  
Collector Cutoff Current (V  
= –30 V)  
= –30 V, T = 150°C)  
I
—
—
—
—
–15  
–4.0  
nA  
µA  
CB  
CB  
CBO  
A
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a registered trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
12345678

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与BC857CLT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857CLT1G ONSEMI

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 		General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC857CLT3 MOTOROLA

获取价格

 		100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC857CLT3G ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
BC857CM NXP

获取价格

 		PNP general purpose transistors
BC857CM NEXPERIA

获取价格

 		PNP general purpose transistorsProduction
BC857CM BL Galaxy Electrical

获取价格

 		45V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
BC857CM,315 NXP

获取价格

 		BC857M series - PNP general purpose transistors DFN 3-Pin
BC857CM3 MCC

获取价格

 		Tape&Reel: 8Kpcs/Reel,;
BC857CMB NXP

获取价格

 		SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC857CMB NEXPERIA

获取价格

 		45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors

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