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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.32 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC850BWH6327XTSA1 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO |
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| BC850BWT/R | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene |
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| BC850BW-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC850BW-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC850C | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
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| BC850C | NEXPERIA |
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NPN general purpose transistorProduction |
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| BC850C | KEXIN |
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NPN General Purpose Transistors |
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| BC850C | WEITRON |
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General Purpose Transistor NPN Silicon |
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| BC850C | PANJIT |
获取价格 |
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
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| BC850C | NXP |
获取价格 |
NPN general purpose transistors |
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