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BC848C PDF预览

BC848C

更新时间： 2024-01-31 21:57:52
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 303K
描述
BC846A

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BC848C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.56Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：110
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC848C 数据手册

 浏览型号BC848C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC848C的Datasheet PDF文件第3页 
BC846A, B  
BC847A, B, C  
BC848A, B, C  
Elektronische Bauelemente  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
SOT-23  
Min  
FEATURES  
A
Dim  
A
Max  
L
n
2.800 3.040  
1.200 1.400  
0.890 1.110  
0.370 0.500  
1.780 2.040  
0.013 0.100  
0.085 0.177  
0.450 0.600  
0.890 1.020  
2.100 2.500  
0.450 0.600  
General Purpose Transistor NPN Type  
n
B
3
Collect current : 0.1A  
S
C
Top View  
O
O
B
n
n
C
Operating Temp. : -55 C ~ +150 C  
RoHS compliant product  
1
2
D
V
G
G
H
COLLE CTOR  
3
J
3
K
H
J
D
K
1
L
1
BAS E  
S
V
2
2
All Dimension in mm  
E MITTE R  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS˄Tamb=25ć  
unless otherwise specified˅  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
MIN  
MAX  
UNIT  
Collector-base breakdown voltage  
BC846  
BC847  
BC848  
BC846  
BC847  
BC848  
80  
50  
30  
65  
45  
30  
VCBO  
V
Ic= 10 ­Aˈ IE=0  
Collector-emitter breakdown voltage  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
Ic= 10 mAˈ IB=0  
V
V
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
6
IE= 10 ­Aˈ IC=0  
BC846  
BC847  
BC848  
BC846  
BC847  
BC848  
VCB= 70 V , IE=0  
VCB= 50 V , IE=0  
0.1  
­A  
VCB= 30 V , IE=0  
VCE= 60 V , IB=0  
VCE= 45 V , IB=0  
VCE= 30 V , IB=0  
Collector cut-off current  
ICEO  
IEBO  
HFE  
0.1  
0.1  
­A  
­A  
Emitter cut-off current  
VEB= 5 V ,  
IC=0  
DC current gain  
BC846A,847A,848A  
BC846B,847B,848B  
BC847C,BC848C  
110  
200  
420  
220  
450  
800  
VCE= 5V, IC= 2mA  
˄
1
˅
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
IC=100mA, IB= 5 mA  
0.5  
1.1  
V
V
V
IC= 100 mA, IB= 5mA  
VCE= 5 V, IC= 10mA  
Transition frequency  
100  
MHz  
fT  
f=100MHz  
DEVICE MARKING  
BC846A=1A; BC846B=1B; BC847A=1E; BC847B=1F; BC847C=1G; BC848A=1J; BC848B=1K; BC848C=1L  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2004 Rev.B  
Page 1 of 3  
123

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与BC848C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC848C(SOT-23) CJ

获取价格

 		Transistor
BC848C/E8 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC848C/E9 VISHAY

获取价格

 		Transistor,
BC848C-7 DIODES

获取价格

 		NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC848C-7-F DIODES

获取价格

 		NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23
BC848-C-AE3-6-R UTC

获取价格

 		Transistor
BC848-C-AE3-R UTC

获取价格

 		SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION
BC848-C-AL3-R UTC

获取价格

 		SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION
BC848C-AU PANJIT

获取价格

 		SOT-23
BC848CBKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,

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