BC848CDW

更新时间： 2024-02-26 00:30:03

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WEITRON		晶体晶体管
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描述
General Purpose Transistor NPN Duals

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BC848CDW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC848CDW 数据手册

BC846BDW Series

General Purpose Transistor

NPN Duals

SOT-363(SC-88)

NPN+NPN

Maximum Ratings

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

BC847

BC846

BC848

Symbol

Unit

Vdc

CEO

CBO

6.0

100

6.0

5.0

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Vdc

mAdc

EBO

100

Thermal Characteristics

Symbol

Max

Unit

Characteristics

380

250

Total Device Dissipation Per Device

FR-5 Board(1) T =25 C

Derate Above 25 C

3.0

mW/ C

C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage,Temperature

328

J,Tstg

-55 to +150

Device Marking

BC846BDW=1B, BC847BDW=1F, BC848CDW=1L

Note:

FR-5=1.0 0.75 0.062 in

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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