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BC848CDXV6T5G

更新时间： 2024-09-30 08:49:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 91K
描述
Dual General Purpose Transistors

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BC848CDXV6T5G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.55最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：420JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC848CDXV6T5G 数据手册

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BC847CDXV6T1,  
BC847CDXV6T5  
BC848CDXV6T1,  
BC848CDXV6T5  
Dual General Purpose  
Transistors  
http://onsemi.com  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
NPN Duals  
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT−563 which is designed for  
low power surface mount applications.  
Q
1
2
(4)  
(5)  
(6)  
Features  
BC847CDXV6T1  
• These are Pb−Free Devices  
MAXIMUM RATINGS  
6
Rating  
Symbol  
BC847 BC848  
Unit  
V
1
Collector − Emitter Voltage  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
45  
50  
30  
30  
V
6.0  
100  
5.0  
100  
V
SOT−563  
CASE 463A  
PLASTIC  
I
C
mAdc  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
MARKING DIAGRAMS  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation, (Note 1)  
P
D
1x M G  
T = 25°C  
357  
2.9  
mW  
mW/°C  
A
G
Derate above 25°C  
1
Thermal Resistance,  
R
350  
°C/W  
q
JA  
Junction-to-Ambient (Note 1)  
1x = Device Code  
x = G or M  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
M
= Date Code  
Total Device Dissipation, (Note 1)  
P
D
G
= Pb−Free Package  
T = 25°C  
Derate above 25°C  
500  
4.0  
mW  
mW/°C  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance,  
R
250  
°C/W  
q
JA  
Junction-to-Ambient (Note 1)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
°C  
stg  
1. FR−4 @ Minimum Pad  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
October, 2010 − Rev. 2  
BC847CDXV6T1/D  
 
12345

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与BC848CDXV6T5G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC848CE6327 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC848CE6327HTSA1 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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BC848C-G COMCHIP

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BC848C-GS08 VISHAY

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 		Transistor,
BC848CHE3 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;

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