5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC848CDW1T1G
BC848CDW1T1G PDF预览

BC848CDW1T1G

更新时间： 2024-01-06 08:23:10
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
11页 144K
描述
Dual General Purpose Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

BC848CDW1T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-88包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.77
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：420JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.38 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC848CDW1T1G 数据手册

 浏览型号BC848CDW1T1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC848CDW1T1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC848CDW1T1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC848CDW1T1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC848CDW1T1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BC848CDW1T1G的Datasheet PDF文件第7页 
BC846BDW1T1G,  
SBC846BDW1T1G,  
BC847BDW1T1G,  
SBC847BDW1T1G Series,  
NSVBC847BDW1T2G,  
BC848CDW1T1G  
http://onsemi.com  
Dual General Purpose  
Transistors  
NPN Duals  
SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 1  
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is  
designed for low power surface mount applications.  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
Features  
Q
1
2
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications  
Requiring Unique Site and Control Change Requirements;  
AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant*  
(4)  
(5)  
(6)  
MARKING DIAGRAM  
6
MAXIMUM RATINGS  
1x MG  
Rating  
Symbol BC846 BC847 BC848 Unit  
G
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
80  
45  
50  
30  
30  
V
V
1
6.0  
100  
6.0  
100  
5.0  
100  
V
1x = Specific Device Code  
= B, F, G, L  
M = Date Code  
Collector Current −  
Continuous  
I
C
mAdc  
x
G
= Pb−Free Package  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation Per Device  
P
D
FR−5 Board (Note 1)  
380  
250  
3.0  
mW  
mW/°C  
mW/°C  
T = 25°C  
A
Derate Above 25°C  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
°C/W  
q
JA  
328  
Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
September, 2012 − Rev. 9  
BC846BDW1T1/D  
 
1234567...11

中文翻译

下载PDF

BC848CDW1T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC848CDW1T1 ONSEMI

完全替代

 Dual General Purpose Transistors
BC848CDXV6T1G ONSEMI

功能相似

 Dual General Purpose Transistors
BC848CDXV6T5 ONSEMI

功能相似

 Dual General Purpose Transistors

与BC848CDW1T1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC848CDXV6T1 ONSEMI

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors
BC848CDXV6T1G ONSEMI

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors
BC848CDXV6T1G ROCHESTER

获取价格

 		100mA, 30V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, CASE 463A-01, 6 PIN
BC848CDXV6T5 ONSEMI

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors
BC848CDXV6T5G ONSEMI

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors
BC848CE6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC848CE6327HTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC848CE6327XT INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC848CE6433 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC848CE6433HTMA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

与BC848CDW1T1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证