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BC848CDXV6T1

更新时间： 2024-09-29 21:54:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 68K
描述
Dual General Purpose Transistors

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BC848CDXV6T1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.23最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：420JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC848CDXV6T1 数据手册

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BC847CDXV6T1,  
BC847CDXV6T5  
BC848CDXV6T1,  
BC848CDXV6T5  
Dual General Purpose  
Transistors  
http://onsemi.com  
NPN Duals  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT-563 which is designed for  
low power surface mount applications.  
Q
1
2
• Lead-Free Solder Plating  
(4)  
(5)  
(6)  
MAXIMUM RATINGS  
BC847CDXV6T1  
Rating  
Symbol  
BC847  
45  
BC848  
30  
Unit  
V
Collector- Emitter Voltage  
Collector- Base Voltage  
Emitter- Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
4
5
50  
30  
V
6
6.0  
5.0  
V
3
2
1
Collector Current -  
Continuous  
I
C
100  
100  
mAdc  
SOT-563  
CASE 463A  
PLASTIC  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
MARKING DIAGRAMS  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation T = 25°C  
P
357  
(Note 1)  
2.9  
mW  
A
D
1G D  
1L D  
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
(Note 1)  
1G = BC847CDXV6T1, BC847CDXV6T5  
1L = BC848CDXV6T1, BC848CDXV6T5  
Thermal Resistance -  
Junction-to-Ambient  
R
350  
(Note 1)  
q
JA  
D
= Date Code  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
Total Device Dissipation T = 25°C  
P
500  
(Note 1)  
4.0  
mW  
A
D
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Device  
Package  
Shipping  
(Note 1)  
BC847CDXV6T1  
SOT-563  
4 mm pitch  
4000/Tape & Reel  
Thermal Resistance -  
Junction-to-Ambient  
R
250  
(Note 1)  
q
JA  
BC847CDXV6T5  
SOT-563  
2 mm pitch  
8000/Tape & Reel  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
- 55 to +150  
stg  
BC848CDXV6T1  
BC848CDXV6T5  
SOT-563  
SOT-563  
4 mm pitch  
4000/Tape & Reel  
1. FR-4 @ Minimum Pad  
2 mm pitch  
8000/Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
March, 2003 - Rev. 0  
BC847CDXV6T1/D  
123456

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BC848CDXV6T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC848CDW1T1G ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC848CDXV6T1G ONSEMI

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 		Dual General Purpose Transistors
BC848CDXV6T1G ROCHESTER

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 		100mA, 30V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, CASE 463A-01, 6 PIN
BC848CDXV6T5 ONSEMI

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors
BC848CDXV6T5G ONSEMI

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 		Dual General Purpose Transistors
BC848CE6327 INFINEON

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