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BC848BWE6327HTSA1

更新时间: 2024-01-17 11:39:06
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英飞凌 - INFINEON 小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 215K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

BC848BWE6327HTSA1 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.31最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):110JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.25 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzVCEsat-Max:0.65 V
Base Number Matches:1

BC848BWE6327HTSA1 数据手册

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