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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC848BWT1
BC848BWT1 PDF预览

BC848BWT1

更新时间： 2024-01-06 22:36:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 151K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

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BC848BWT1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-70
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.01
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC848BWT1 数据手册

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by BC846AWT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is  
designed for low power surface mount applications.  
1
BASE  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol BC846 BC847 BC848  
Unit  
V
3
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
V
V
V
65  
80  
45  
50  
30  
30  
CEO  
CBO  
EBO  
V
1
2
6.0  
100  
6.0  
100  
5.0  
100  
V
CASE 419–02, STYLE 3  
SOT–323/SC–70  
I
C
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board, (1)  
= 25°C  
P
D
150  
mW  
T
A
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
833  
2.4  
°C/W  
mW/°C  
°C  
JA  
D
P
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BC846AWT1 = 1A; BC846BWT1 = 1B; BC847AWT1 = 1E; BC847BWT1 = 1F;  
BC847CWT1 = 1G; BC848AWT1 = 1J; BC848BWT1 = 1K; BC848CWT1 = 1L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 10 mA)  
C
BC846 Series  
BC847 Series  
BC848 Series  
V
65  
45  
30  
—
—
—
—
—
—
V
(BR)CEO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
BC846 Series  
BC847 Series  
BC848 Series  
V
80  
50  
30  
—
—
—
—
—
—
V
V
V
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 10 µA, V  
C
= 0)  
EB  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 A)  
C
BC846 Series  
BC847 Series  
BC848 Series  
V
V
80  
50  
30  
—
—
—
—
—
—
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 1.0 A)  
E
BC846 Series  
BC847 Series  
BC848 Series  
6.0  
6.0  
5.0  
—
—
—
—
—
—
Collector Cutoff Current (V  
= 30 V)  
= 30 V, T = 150°C)  
I
—
—
—
—
15  
5.0  
nA  
µA  
CB  
CB  
CBO  
(V  
A
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
Motorola, Inc. 1996
123456

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BC848BWT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC848BWT1G ONSEMI

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC848BWT106 ETC

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BC848BWT1G ONSEMI

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BC848BW-TAPE-13 NXP

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