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BC848BWT106 PDF预览

BC848BWT106

更新时间： 2024-02-18 09:48:19
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 91K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70

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BC848BWT106 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：0.56最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

BC848BWT106 数据手册

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BC848BW / BC848B / BC848C  
Transistors  
NPN General Purpose Transistor  
BC848BW / BC848B / BC848C  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) BVCEO minimum is 30V (IC=1mA)  
2) Complements the BC858B / BC858BW.  
BC848BW  
2.0 0.2  
1.3 0.1  
0.9 0.1  
0.7 0.1  
0.65 0.65  
0.2  
(1)  
(2)  
0~0.1  
(3)  
+0.1  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
0.3  
0.15 0.05  
−0  
All terminals have same dimensions  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
BC848B, BC848C  
2.9 0.2  
1.9 0.2  
0.95 0.95  
+0.2  
0.95  
−0.1  
0.45 0.1  
(2)  
(1)  
0~0.1  
0.2Min.  
(3)  
+0.1  
0.15  
+0.1  
−0.06  
0.4  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
−0.05  
All terminals have same dimensions  
ROHM : SST3  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
30  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
30  
V
5
V
I
C
0.1  
A
0.2  
∗
Collector power dissipation  
P
C
W
0.35  
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
∗ When mounted on a 7×5×0.6mm ceramic board.  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
BVCBO  
30  
30  
5
−
−
−
−
−
−
−
−
15  
V
V
V
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
BVCEO  
BVEBO  
C
E
=50µA  
−
−
V
CB=30V  
CB=30V, Ta=150°C  
Collector cutoff current  
I
CBO  
µA  
5
V
−
−
0.58  
200  
420  
−
−
−
−
−
−
200  
0.25  
0.6  
0.77  
450  
800  
−
I
I
C
/I  
B
=10mA/0.5mA  
=100mA/5mA  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
CE(sat)  
V
V
−
C/I  
B
V
BE(on)  
V
V
V
CE/I  
CE/I  
CE/I  
C=5V/10mA  
C=5V/2mA  
C=5V/2mA  
(BC848B/BW)  
(BC848C)  
hFE  
Transition frequency  
f
T
MHz  
pF  
V
V
V
CE=5V, I  
CB=10V, I  
EB=0.5V, I  
E
=−20mA, f=100MHz  
=0, f=1MHz  
=0, f=1MHz  
Collector output capacitance  
Collector output capacitance  
Cob  
Cib  
−
−
3
−
−
E
8
pF  
E
(SPEC-C22)  
1/5  
12345

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与BC848BWT106相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC848BWT1G ONSEMI

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 		NPN Bipolar Transistor, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL
BC848BW-TAPE-13 NXP

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 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC848BW-TAPE-7 NXP

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