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BC848C

更新时间： 2024-01-24 05:00:17

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TAITRON		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	123K
描述
SMD General Purpose Transistor (NPN)

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BC848C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC848C 数据手册

BC846A,B

BC847A,B,C

RoHS

COMPLIANCE

BC848A,B,C

0.2 Watts NPN Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23

Features

Ideally suited for automatic insertion

Epitaxial planar die construction

For switching, AF driver and amplifier

applications

Complementary NPN type available(BC856)

Qualified to AEC-Q101 standards for high

reliability

Mechanical Data

Case: SOT-23, Molded plastic

Case material: molded plastic. UL flammability

classification rating 94V-0

Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C

Terminals: Solderable per MIIL-STD-202,

Method 208

Lead free plating

Marking & Polarity: See diagram

Weight: 0.008 gram (approx.)

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings T =25 ^oC unless otherwise specified

Type Number

Symbol BC846 BC847 BC848 Units

Collector-base breakdown voltage

I_C=10uA, I_E=0

V_CBO

V_CEO

I_CM

0.1

0.2

Collector-emitter breakdown voltage I_C=10mA, I_B=0

Collector current

Power dissipation (Tamb=25^oC) (Note 1)

P_CM

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=10uA, I_C=0

V_CB=70V I_E=0

V_CB=50V I_E=0

V_CB=30V I_E=0

V_CE=60V I_B=0

V_CE=45V I_B=0

V_CE=30V I_B=0

V_EB=5V I_C=0

V_EBO

0.1

I_CBO

0.1

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_CEO

I_EBO

0.1

0.5

Collector-emitter saturation voltage I_C=100mA, I_B=5mA V_CE(sat)

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

I_C=100mA, I_B=5mA V_BE(sat)

1.1

700

770

V_CE=5V I_C=2mA

V_CE=5V I_C=10mA

V_BE

Transition frequency V_CE=5V I_C=10mA f=100MHz

Operating and Storage Temperature Range

f_T

100

-55 to + 150

MHz

^oC

T_J, T_STG

Symbol

Type Number

Min

Max

Units

DC current gain BC846A,847A,848A

BC846B,847B,848B V_CE=5V I_C=2mA

BC847C / BC848C

110

200

420

220

450

800

H_FE(1)

DEVICE MARKING

BC846A=1A, BC846B=1B, BC847A=1E, BC847B=1F, BC847C=1G, BC848A=1J, BC848B=1K, BC848C=1L

Note 1: Transistor mounted on an FR4 Printed-circuit board.

Version: B07

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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