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BC848C

更新时间： 2024-01-12 02:31:27

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智威 - ZOWIE		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	82K
描述
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON

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BC848C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC848C 数据手册

Zowie Technology Corporation

General Purpose Transistor

NPN Silicon

COLLECTOR

BASE

BC848A,B,C

EMITTER

SOT-23

MAXIMUM RATINGS

Value

Symbol

VCEO

VCBO

VEBO

Unit

Vdc

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Vdc

Emitter-Base Voltage

5.0

100

Vdc

Collector Current-Continuous

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Max.

Symbol

Unit

Characteristic

Total Device Dissipation FR-5 Board⁽¹⁾TA=25^oC

225

1.8

Derate above 25^oC

mW / ^oC

Thermal Resistance Junction to Ambient

556

^oC / W

Total Device Dissipation Alumina Substrate,⁽²⁾TA=25^oC

300

2.4

Derate above 25^oC

mW / ^oC

Thermal Resistance Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

417

^oC / W

^oC

TJ,TSTG

-55 to +150

DEVICE MARKING

BC848A=1J; BC848B=1K; BC848C=1L

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25^oC unless otherwise noted)

Typ.

Max.

Symbol

Min.

Unit

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdowe Voltage

( IC=10mA )

V(BR)CEO

V(BR)CES

Vdc

Collector-Emitter Breakdowe Voltage

( IC=10 uA, VEB=0 )

Collector-Base Breakdowe Voltage

( IC=10 uA )

V(BR)CBO

V(BR)EBO

Vdc

Emitter-Base Breakdowe Voltage

( IE=1.0 uA )

5.0

Collector Cutoff Current

( VCB=30 V )

( VCB=30 V, TA = 150^oC )

ICBO

5.0

nAdc

uAdc

(1) FR-5=1.0 0.75 0.062in.

(2) Alumina=0.4 0.3 0.024in. 99.5% alumina.

REV. : 0

Zowie Technology Corporation

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