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BC848BWT1

更新时间： 2024-02-04 15:05:17

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	183K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

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BC848BWT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.01
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC848BWT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

GeneralPurposeTransistors

NPN Silicon

BC846AWT1,BWT1

BC847AWT1,BWT1

CWT1

These transistors are designed for general purpose amplifier

applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is

designed for low power surface mount applications.

COLLECTOR

BC848AWT1,BWT1

CWT1

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

BC846

BC847

BC848

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

CASE 419–02, STYLE 3

SOT–323 /SC–70

6.0

5.0

100

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P _D

150

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P _D

833

2.4

°C/W

mW/°C

°C

Junction and Storage Temperature

T _J, T _stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

BC846AWT1 = 1A; BC846BWT1 = 1B; BC847AWT1 = 1E; BC847BWT1 = 1F;

BC847CWT1 = 1G; BC848AWT1 = 1J; BC848BWT1 = 1K; BC848CWT1 = 1L

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 10 mA)

BC846 Series

BC847 Series

BC848 Series

BC846 Series

BC847 Series

BC848 Series

BC846 Series

BC847 Series

BC848 Series

BC846 Series

BC847 Series,

BC848 Series

6.0

5.0

—

5.0

V _(BR)CEO

V _(BR)CES

V _(BR)CBO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 10 µA, V_EB= 0)

Collector–Base Breakdown Voltage

(I_C= 10 µA)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I_E= 1.0 µA)

V _(BR)EBO

Collector Cutoff Current (V_CB= 30 V)

I _CBO

(V_CB= 30 V, T_A= 150°C)

—

µA

1.FR–5=1.0 x 0.75 x 0.062in

K4–1/4

12 3 4

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与BC848BWT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC848BWT106	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-70
BC848BWT1G	ONSEMI	获取价格	NPN Bipolar Transistor, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL
BC848BW-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC848BW-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC848BW-TP	MCC	获取价格	NPN General Purpose Transistors
BC848C	CENTRAL	获取价格	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
BC848C	RECTRON	获取价格	SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN)
BC848C	TAITRON	获取价格	SMD General Purpose Transistor (NPN)
BC848C	ROHM	获取价格	NPN General Purpose Transistor
BC848C	INFINEON	获取价格	NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain)

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