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BC847BDW1T3G

更新时间： 2024-11-15 06:41:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
10页 122K
描述
Dual General Purpose Transistors

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BC847BDW1T3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-88包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.84
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.38 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC847BDW1T3G 数据手册

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BC846BDW1T1G,  
BC847BDW1T1G,  
BC848CDW1T1G  
Dual General Purpose  
Transistors  
http://onsemi.com  
NPN Duals  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is  
designed for low power surface mount applications.  
Q
1
2
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
(4)  
(5)  
(6)  
Compliant  
MAXIMUM RATINGS  
MARKING  
DIAGRAM  
Rating  
Symbol BC846 BC847 BC848 Unit  
6
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
65  
80  
45  
50  
30  
30  
V
V
1
1x MG  
SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 1  
G
V
6.0  
100  
6.0  
100  
5.0  
100  
V
EBO  
Collector Current −  
Continuous  
I
C
mAdc  
1x = Specific Device Code  
= B, F, G, L  
M = Date Code  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
x
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
Per Device  
P
D
380  
250  
mW  
FR−5 Board (Note 1)  
T = 25°C  
Derate Above 25°C  
A
3.0  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
q
JA  
328  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
July, 2010 − Rev. 7  
BC846BDW1T1/D  
 
1234567...10

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BC847BDW1T3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC847BDW1T1 ONSEMI

完全替代

 Dual General Purpose Transistors
BC847BDW1T3 ONSEMI

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BC847BDW1T1G ONSEMI

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BC847BDW-G WEITRON

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BC847BE6327 INFINEON

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BC847B-E6327 INFINEON

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 		For AF input stages and driver applications
BC847BE6327HTSA1 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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 		TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-89, 3 PIN, BIP
BC847BF2 YANGJIE

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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