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BC847BDW1T3

更新时间： 2024-11-15 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
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BC847BDW1T3 数据手册

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BC846BDW1T1G,  
BC847BDW1T1G,  
BC848CDW1T1G  
Dual General Purpose  
Transistors  
http://onsemi.com  
NPN Duals  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is  
designed for low power surface mount applications.  
Q
1
2
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
(4)  
(5)  
(6)  
Compliant  
MAXIMUM RATINGS  
MARKING  
DIAGRAM  
Rating  
Symbol BC846 BC847 BC848 Unit  
6
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
65  
80  
45  
50  
30  
30  
V
V
1
1x MG  
SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 1  
G
V
6.0  
100  
6.0  
100  
5.0  
100  
V
EBO  
Collector Current −  
Continuous  
I
C
mAdc  
1x = Specific Device Code  
= B, F, G, L  
M = Date Code  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
x
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
Per Device  
P
D
380  
250  
mW  
FR−5 Board (Note 1)  
T = 25°C  
Derate Above 25°C  
A
3.0  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
q
JA  
328  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
July, 2010 − Rev. 7  
BC846BDW1T1/D  
 
1234567...10

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BC847BDW1T3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC847BDW1T3G ONSEMI

类似代替

 Dual General Purpose Transistors
BC847BDW1T1G ONSEMI

类似代替

 Dual General Purpose Transistors
BC847BS-7-F DIODES

功能相似

 DUAL NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

与BC847BDW1T3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC847BDW1T3G ONSEMI

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors
BC847BDW-G WEITRON

获取价格

 		Transistor
BC847BE6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC847B-E6327 INFINEON

获取价格

 		For AF input stages and driver applications
BC847BE6327HTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC847BE6433 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC847BE6433HTMA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC847BF INFINEON

获取价格

 		NPN Silicon AF Transistors
BC847BF NXP

获取价格

 		NPN general purpose transistors
BC847BF,115 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-89, 3 PIN, BIP

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