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BC808WT/R

更新时间: 2024-11-24 21:15:27
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
4页 106K
描述
TRANSISTOR 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

BC808WT/R 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.35最大集电极电流 (IC):0.5 A
基于收集器的最大容量:10 pF集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):80 MHzVCEsat-Max:0.7 V
Base Number Matches:1

BC808WT/R 数据手册

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