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BC817

更新时间： 2024-01-07 09:43:13
品牌 Logo 应用领域
TYSEMI 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 49K
描述
For general AF applications, High collector current.

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BC817 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：5 pF集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.7 VBase Number Matches：1

BC817 数据手册

  
Product specification  
KC817(BC817)  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
2.9  
-0.1  
+0.1  
0.4  
-0.1  
3
Features  
For general AF applications.  
High collector current.  
High current gain.  
1
2
+0.1  
0.95  
-0.1  
+0.05  
0.1  
-0.01  
+0.1  
1.9  
-0.1  
Low collector-emitter saturation voltage.  
1.Base  
2.Emitter  
3.collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current (DC)  
power dissipation  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
50  
45  
5
V
V
800  
mA  
mW  
PD  
310  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
-65 to +150  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Symbol  
Testconditons  
Min  
50  
45  
5
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-to-base breakdown voltage  
Collector-to-emitter breakdown voltage  
Emitter-to-base breakdown voltage  
VCBO  
VCEO  
IC = 10 A,VBE = 0  
IC = 10 mA, IB = 0  
V
V
IE = 10 A, IC = 0  
VCB = 25 V, VBE= 0  
VEB = 4 V, IC = 0  
VEBO  
ICES  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
100  
100  
630  
nA  
nA  
IEBO  
IC = 100 mA, VCE = 1 V  
100  
60  
DC current gain *  
hFE  
IC = 300 mA, VCE = 1 V  
Collector saturation voltage *  
Base emitter on voltage  
VCE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA  
VBE(on) VCE=1V,IC=300mA  
0.7  
1.2  
12  
V
V
Output Capacitance  
Transition frequency  
Cob  
fT  
VCB=10V,f=1MHz  
IC = 10 mA, VCE = 5 V, f = 50 MHz  
pF  
100  
MHz  
* Pulsed: PW  
350 ìs, duty cycle  
2%  
Marking  
NO.  
Marking  
hFE  
KC817-16  
8FA  
KC817-25  
8FB  
KC817-40  
8FC  
100 250  
160 400  
250 630  
1
4008-318-123  
http://www.twtysemi.com  
1 of 1  
sales@twtysemi.com  
1

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与BC817相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC817,215 NXP

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 		BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
BC817,235 NXP

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 		BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
BC817.16 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
BC817.16BK CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.16TR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.16TR13 CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.25 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
BC817.25TR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.25TR13 CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.40 ETC

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