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BC817

更新时间： 2024-01-17 13:49:59

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SECOS		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	207K
描述
NPN Plastic Encapsulate Transistors

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BC817 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.7 V	Base Number Matches：	1

BC817 数据手册

BC817 -16, -25, -40

500 mA, 50 V

NPN Plastic Encapsulate Transistors

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

SOT-23

FEATURES

ꢀ

For general AF applications

High collector current

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Complementary types: BC807 (PNP)

Collector

Top View

C B

Base

Emitter

Millimeter

Min. Max.

Millimeter

REF.

Min.

0.40

0.08

Max.

0.18

0.60

0.20

2.70

2.10

1.20

0.89

1.78

0.30

3.04

2.80

1.60

1.40

2.04

0.50

0.6 REF.

0.85

1.15

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at T_A= 25°C

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

RATINGS

UNIT

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

V_CEO

V_EBO

500

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Junction & Storage Temperature

I_C

°C

P_C

300

T_J, T_STG

150, -55 ~ +150

CHARACTERISTICS at T_A= 25°C

PARAMETER

Collector-base Breakdown Voltage

Collector-emitter Breakdown Voltage

Emitter-base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

SYMBOL

V_CBO

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT TEST CONDITIONS

I_C= 10 µA, I_E= 0

V_CEO

I_C= 10 mA, I_B= 0

V_EBO

I_E= 1 µA, I_C= 0

I_CBO

0.1

600

µA

V_CB= 45V, I_E= 0

Emitter Cut-off Current

I_EBO

V_EB= 4V, I_C= 0

DC Current Gain

h_FE(1)

100

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

V_CE= 1 V, I_C= 500 mA

I_C= 500mA, I_B= 50 mA

V_CE= 1V, I_C= 500mA

V_CB= 10V, f=1MHz

DC Current Gain

h_FE(2)

Collector-emitter Saturation Voltage

Base-emitter Saturation Voltage

Base-emitter Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

0.7

1.2

Collector Capacitance

C_ob

V_CE= 5 V, I_C= 10 mA,

f = 100MHz

Transition Frequency

f_T

100

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

Marking

BC817-16

100 - 250

BC817-25

BC817-40

250 - 600

160 - 400

16-Nov-2009 Rev. D

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与BC817相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC817,215	NXP	获取价格	BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
BC817,235	NXP	获取价格	BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
BC817.16	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AA
BC817.16BK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.16TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.16TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.25	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AA
BC817.25TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.25TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.40	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AA

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