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BC817-16 PDF预览

BC817-16

更新时间： 2024-01-13 13:17:14
品牌 Logo 应用领域
TSC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
300mW, NPN Small Signal Transistor

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BC817-16 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.55最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC817-16 数据手册

 浏览型号BC817-16的Datasheet PDF文件第2页 
BC817-16/-25/-40  
300mW, NPN Small Signal Transistor  
Small Signal Diode  
SOT-23  
Collector  
Emitter  
Base  
F
A
Features  
—Low power loss, high current capability, low VF  
B
—Surface device type mounting  
E
—Moisture sensitivity level 1  
—Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate  
—Pb free version and RoHS compliant  
C
G
D
—Green compound (Halogen free) with suffix "G" on  
packing code and prefix "G" on date code  
Unit (mm)  
Unit (inch)  
Min Max  
0.059 0.067  
Dimensions  
Min  
1.50  
3.55  
0.45  
2.60  
1.05  
0.08  
Max  
1.70  
Mechanical Data  
—Case : SOT- 23 small outline plastic package  
A
B
C
D
E
F
3.85 0.140 0.152  
0.65 0.018 0.026  
—Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable  
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
—High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s  
—Weight : 0.008gram (approximately)  
2.80  
1.25  
0.15  
0.102 0.11  
0.041 0.049  
0.003 0.006  
0.50 REF  
G
0.02 REF  
Ordering Information  
Part No.  
Packing  
Package  
SOT-23  
BC817-16/-25/-40 RF  
3Kpcs/7" Reel  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum Ratings  
Type Number  
Symbol  
PD  
BC817-16  
BC817-25  
BC817-40  
Units  
Power Dissipation  
300  
mW  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
50  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
45  
V
5
500  
V
Collector Current  
mA  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 1)  
Junction and Storage Temperature Range  
RθJA  
TJ, TSTG  
388  
-55 to + 150  
Electrical Characteristics  
Type Number  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
BC817-16  
BC817-25  
BC817-40  
Units  
V
IC= 10μA  
IC= 10mA  
IE= 1μA  
IE= 0  
IB= 0  
IC= 0  
IE= 0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
50  
45  
V
5
V
VCB= 45V  
0.1  
μA  
μA  
V
V
EB= 4V  
IC= 0  
IEBO  
Emitter Cut-offCurrent  
0.1  
IC= 500mA  
IC= 500mA  
IB= 50mA  
IB= 50mA  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
0.7  
Collector-Emitter saturation voltage  
Base-Emitter saturation voltage  
1.2  
V
VCE= 5V IC= 10mA f= 100MHz  
VR=0V, f=1.0MHz  
Transition frequency  
Junction Capacitance  
100  
10  
MHz  
pF  
CJ  
VCE= 1V  
VCE= 1V  
IC= 100mA  
IC= 100mA  
100  
>40  
-
600  
>40  
hFE  
hFE  
DC current gain  
DC current gain  
>40  
160-400  
100-250  
250-600  
Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Version : C09  
12

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