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BC817-16

更新时间: 2024-02-14 15:51:22
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 134K
描述
NPN Silicon AF Transistors

BC817-16 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.55最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.2 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

BC817-16 数据手册

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NPN Silicon AF Transistors  
BC 817  
BC 818  
For general AF applications  
High collector current  
High current gain  
Low collector-emitter saturation voltage  
Complementary types: BC 807, BC 808 (PNP)  
Package1)  
SOT-23  
Type  
Marking  
Ordering Code  
Pin Configuration  
1
2
3
BC 817-16  
BC 817-25  
BC 817-40  
BC 818-16  
BC 818-25  
BC 818-40  
6As  
6Bs  
6Cs  
6Es  
6Fs  
6Gs  
Q62702-C1732  
Q62702-C1690  
Q62702-C1738  
Q62702-C1739  
Q62702-C1740  
Q62702-C1505  
B
E
C
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
07.94  
Semiconductor Group  
1

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