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BC817-16 PDF预览

BC817-16

更新时间： 2024-02-05 18:03:32
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 352K
描述
NPN Transistor

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BC817-16 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.55最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC817-16 数据手册

 浏览型号BC817-16的Datasheet PDF文件第2页 
BC817-16  
BC817-25 NPN Transistor  
BC817-40  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
FEATURES  
SOT-23  
Min  
n
Dim  
A
B
C
D
G
H
J
Max  
Power dissipation  
COLLECTOR  
3
PCM: 300 mW (Tamb=25o )  
2.800 3.040  
1.200 1.400  
0.890 1.110  
0.370 0.500  
1.780 2.040  
0.013 0.100  
0.085 0.177  
0.450 0.600  
0.890 1.020  
2.100 2.500  
0.450 0.600  
3
C
n
Collector current  
1
1
ICM: 500 mA  
2
BASE  
n
A
Collector-base voltage  
V(BR)CBO: 30 V  
L
2
3
n
EMITTER  
Operating and junction temperature range  
T , T : -55o to +150o  
S
C
Top View  
B
1
2
C
C
K
L
J
stg  
n
n
n
n
For general AF applications  
High collector current  
High current gain  
V
G
S
V
All Dimension in mm  
H
J
D
Low collector-emitter saturation voltage  
K
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25oC unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Test conditions  
Ic=100µA, IE=0  
Ic=10mA, IB=0  
IE=1µA, IC=0  
MIN  
50  
45  
5
TYP  
MAX  
UNIT  
V
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V
µA  
µA  
VCB=45V, IE=0  
VEB=4V, IC=0  
0.1  
IEBO  
Emitter cut-off current  
0.1  
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE=1V, IC=100mA  
VCE=1V, IC=500mA  
100  
40  
600  
DC current gain  
VCE(sat)  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
IC=500mA, IB=50mA  
0.7  
1.2  
VCE=1V, IC=500mA  
IC=500mA, IB=50mA  
VBE  
&
Base-emitter voltage & saturation  
voltage  
VBE(sat)  
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz  
VCB=10V, f=1MHz  
100  
Cob  
Collector output capacitance  
10  
CLASSIFICATION OF hFE(1)  
Rank  
BC817-16  
BC817-25  
160-400  
6B  
BC817-40  
250-600  
6C  
Range  
Marking  
100-250  
6A  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2007 Rev. C  
Page 1 of 2  
12

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