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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC638TA
BC638TA PDF预览

BC638TA

更新时间： 2024-11-13 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 420K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/AMMO

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BC638TA 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：2.94
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC638TA 数据手册

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BC638  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Switching and Amplifier Applications  
•
Complement to BC637  
TO-92  
1
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-60  
Units  
V
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage at R =1KΩ  
CER  
CES  
CEO  
EBO  
BE  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-60  
V
-60  
V
-5  
V
I
I
I
-1  
A
C
Peak Collector Current  
Base Current  
-1.5  
-100  
1
A
CP  
B
mA  
W
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
-65 ~ 150  
°C  
°C  
J
STG  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-60  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
I = -10mA, I =0  
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
= -30V, I =0  
-0.1  
-0.1  
µA  
µA  
CB  
EB  
E
V
= -5V, I =0  
C
h
h
h
DC Current Gain  
V
V
V
= -2V, I = -5mA  
25  
40  
25  
FE1  
FE2  
FE3  
CE  
CE  
CE  
C
= -2V, I = -150mA  
160  
C
= -2V, I = -500mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -500mA, I = -50mA  
-0.5  
-1  
V
V
CE  
BE  
C
B
V
= -2V, I = -500mA  
C
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -5V, I = -10mA,  
100  
MHz  
T
CE  
C
f=50MHz  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
BC638 Rev. C2  
1
www.fairchildsemi.com  
12345

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BC638TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC33725TA ONSEMI

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BC638ZL1 ONSEMI

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BC638ZL1 MOTOROLA

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 		500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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