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BC557B

更新时间: 2024-11-03 06:41:35
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RECTRON 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors

BC557B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.6
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):265极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.625 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz

BC557B 数据手册

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BC556,A,B,C  
BC557,A,B,C  
BC558,A,B,C  
PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors  
1
2
3
TO-92 SMD Package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 oC unless specified otherwise)  
SYMBOL  
VCEO  
VCES  
VCBO  
VEBO  
IC  
BC556  
BC557  
45  
BC558  
30  
UNITS  
DESCRIPTION  
Collector Emitter Voltage  
Collector Emmitter Voltage  
Collector Base Voltage  
65  
V
V
V
V
80  
50  
30  
80  
50  
5
100  
200  
200  
200  
30  
5
5
Emitter Base Voltage  
Collector Current Continuous  
Peak  
mA  
ICM  
IEM  
IBM  
mA  
mA  
Emitter Current - Peak  
Base Current - Peak  
Total power dissipation up to  
Ptot  
500  
mW  
Tamb = 25 oC  
oC  
Tstg  
Tj  
-55 to +150  
150  
Storge Temperature  
Junction Temperature  
oC  
Thermal Resistance  
From junction to ambient  
oC/W  
Rth(j-a)  
250  
www.rectron.com  
1 of 3  

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92