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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC557A
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BC557A

更新时间： 2024-11-03 22:48:15
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器晶体管开关
页数 文件大小 规格书
6页 223K
描述
Amplifier Transistors

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BC557A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：8.73
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JEDEC-95代码：TO-226AA
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：1.5 W
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：320 MHz
VCEsat-Max：0.65 VBase Number Matches：1

BC557A 数据手册

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by BC556/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
2
BC  
BC  
557  
BC  
3
556  
–65  
–80  
558  
–30  
–30  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–45  
–50  
Vdc  
–5.0  
–100  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –2.0 mAdc, I = 0)  
V
V
V
V
(BR)CEO  
BC556  
BC557  
BC558  
–65  
–45  
–30  
—
—
—
—
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 µAdc)  
C
V
(BR)CBO  
BC556  
BC557  
BC558  
–80  
–50  
–30  
—
—
—
—
—
—
Emitter–Base Breakdown Voltage  
V
(BR)EBO  
(I = –100 Adc, I = 0)  
BC556  
BC557  
BC558  
–5.0  
–5.0  
–5.0  
—
—
—
—
—
—
E
C
Collector–Emitter Leakage Current  
I
CES  
(V  
CES  
(V  
CES  
= –40 V)  
= –20 V)  
BC556  
BC557  
BC558  
BC556  
BC557  
BC558  
—
—
—
—
—
—
–2.0  
–2.0  
–2.0  
—
—
—
–100  
–100  
–100  
–4.0  
–4.0  
–4.0  
nA  
(V  
CES  
= –20 V, T = 125°C)  
µA  
A
Motorola, Inc. 1996  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC557-A INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92D, 3 PIN
BC557A(BOX) DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC557A/E6 VISHAY

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 		Transistor
BC557A/E7 VISHAY

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 		Transistor
BC557A{AMMOPAK} DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC557A18 MOTOROLA

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BC557A5 MOTOROLA

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