BC556C

更新时间： 2024-11-04 06:41:35

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RECTRON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	89K
描述
PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors

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BC556C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.37
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	65 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	420
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	265
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BC556C 数据手册

BC556,A,B,C

BC557,A,B,C

BC558,A,B,C

PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors

TO-92 SMD Package

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ^oC unless specified otherwise)

SYMBOL

V_CEO

V_CES

V_CBO

V_EBO

I_C

BC556

BC557

BC558

UNITS

DESCRIPTION

Collector Emitter Voltage

Collector Emmitter Voltage

Collector Base Voltage

100

200

Emitter Base Voltage

Collector Current Continuous

Peak

I_CM

I_EM

I_BM

Emitter Current - Peak

Base Current - Peak

Total power dissipation up to

P_tot

500

T_amb= 25 ^oC

^oC

Tstg

-55 to +150

150

Storge Temperature

Junction Temperature

^oC

Thermal Resistance

From junction to ambient

^oC/W

R_th(j-a)

250

www.rectron.com

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