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BC556CBK

更新时间： 2024-11-04 20:01:55

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BC556CBK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	420	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

BC556CBK 数据手册

BC556xBK ... BC559xBK

General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

PNP

Version 2009-12-07

4.6^±0.1

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW

Plastic case

TO-92

Kunststoffgehäuse

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

C B E

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Special packaging bulk

Sonder-Lieferform Schüttgut

2 x 1.27

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BC556

80 V

BC557

50 V

BC558/559

30 V

Collector-Emitter-voltage

E-B short - V_CES

Collector-Emitter-voltage

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EB0

P_tot

65 V

45 V

30 V

Collector-Base-voltage

80 V

50 V

30 V

Emitter-Base-voltage

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

500 mW ¹)

100 mA

200 mA

- I_C

- I_CM

- I_BM

I_EM

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 µA

h_FE

typ. 90

110 ... 220

typ. 120

typ. 150

200 ... 450

typ. 200

typ. 270

420 ... 800

typ. 400

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

- V_CE= 5 V, - I_C= 100 mA

h-Parameters at/bei - V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

Kleinsignal-Stromverstärkung

h_fe

h_ie

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Input impedance – Eingangs-Impedanz

1.6 ... 4.5 kΩ 3.2 ...8.5 kΩ

6 ... 15 kΩ

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_oe

h_re

18 < 30 µS

30 < 60 µS

typ. 2*10-4

60 < 110 µS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

typ. 1.5*10-4

typ. 3*10-4

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC556C-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BC556C-BP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BC556CBU	ROCHESTER	获取价格	100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
BC556CD26Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC556CD27Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC556CD74Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC556CD75Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC556CJ05Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC556CJ18Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC556C-T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal

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