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BC556ATA

更新时间： 2024-02-09 04:27:16
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 142K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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BC556ATA 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.91
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：65 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：110
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz

BC556ATA 数据手册

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Absolute Maximum Ratings  
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-  
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-  
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The  
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25°C unless otherwise noted.  
Symbol  
Parameter  
Value  
-80  
Unit  
BC556  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
BC557 / BC560  
BC558 / BC559  
BC556  
-50  
V
-30  
-65  
VCEO  
BC557 / BC560  
BC558 / BC559  
-45  
V
-30  
VEBO  
IC  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
-5  
V
-100  
500  
mA  
mW  
°C  
PC  
TJ  
150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
°C  
Electrical Characteristics  
Values are at TA = 25°C unless otherwise noted.  
Symbol  
ICBO  
Parameter  
Collector Cut-Off Current  
DC Current Gain  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
-15  
Unit  
VCB = -30 V, IE = 0  
nA  
hFE  
VCE = -5 V, IC = -2 mA  
IC = -10 mA, IB = -0.5 mA  
IC = -100 mA, IB = -5 mA  
IC = -10 mA, IB = -0.5 mA  
IC = -100 mA, IB = -5 mA  
VCE = -5 V, IC = -2 mA  
110  
800  
-90  
-300  
-650  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
mV  
mV  
mV  
-250  
-700  
-900  
-660  
VBE(sat) Collector-Base Saturation Voltage  
VBE(on) Base-Emitter On Voltage  
-600  
-750  
-800  
V
CE = -5 V, IC = -10 mA  
VCE = -5 V, IC = -10 mA,  
f = 10 MHz  
fT  
Current Gain Bandwidth Product  
150  
MHz  
pF  
Cob  
Output Capacitance  
VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
6
BC556 / BC557 / BC558  
2
10  
4
VCE = -5 V, IC = -200 μA,  
f = 1 kHz, RG = 2 kΩ  
BC559 / BC560  
BC559  
1
Noise  
Figure  
NF  
dB  
1.2  
1.2  
4.0  
2.0  
VCE = -5 V, IC = -200 μA,  
RG = 2 kΩ, f = 30 to 15000 MHz  
BC560  
hFE Classification  
Classification  
hFE  
A
B
C
110 ~ 220  
200 ~ 450  
420 ~ 800  
© 2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
www.fairchildsemi.com  
BC556 / BC557 / BC558 / BC559 / BC560 Rev. 1.1.0  
2
123456

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