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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.61 |
| 其他特性： | EUROPEAN PART NUMBER | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 65 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 280 MHz | VCEsat-Max： | 0.65 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BC556B | ONSEMI | Amplifier Transistors(PNP Silicon) |
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| BC556B | INFINEON | PNP SILICON TRANSISTORS |
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| BC556B | MCC | PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW |
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| BC556B | BOCA | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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| BC556B | DIOTEC | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BC556B | FAIRCHILD | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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