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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> BC556B-BULK
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BC556B-BULK

更新时间： 2024-11-25 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 255K
描述
Transistor,

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BC556B-BULK 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.29Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-609代码：e0
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

BC556B-BULK 数据手册

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BC556 THRU BC559  
Small Signal Transistors (PNP)  
TO-92  
FEATURES  
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for  
switching and AF amplifier applications.  
.142 (3.6)  
.181 (4.6)  
♦
♦
These transistors are subdivided into  
three groups A, B and C according to  
their current gain. The type BC556 is avail-  
able in groups A and B, however, the types  
BC557 and BC558 can be supplied in all three  
groups. The BC559 is a low-noise type available  
in all three groups. As complementary types, the  
NPN transistors BC546 … BC549 are recommended.  
.
.022 (0.55)  
.098 (2.5)  
max  
♦
On special request, these transistors are also manufac-  
tured in the pin configuration TO-18.  
E
C
MECHANICAL DATA  
Case: TO-92 Plastic Package  
Weight: approx. 0.18 g  
B
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at  
ambient temperature unless otherwise specified  
25 °C  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
BC556  
BC557  
BC558, BC559  
–V  
–V  
–V  
80  
50  
30  
V
V
V
CBO  
CBO  
CBO  
BC556  
BC557  
BC558, BC559  
–V  
–V  
–V  
80  
50  
30  
V
V
V
CES  
CES  
CES  
BC556  
BC557  
BC558, BC559  
–V  
–V  
–V  
65  
45  
30  
V
V
V
CEO  
CEO  
CEO  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
–V  
5
V
EBO  
–I  
–I  
–I  
100  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
C
Peak Collector Current  
Peak Base Current  
Peak Emitter Current  
200  
CM  
BM  
200  
I
200  
EM  
Power Dissipation at T  
= 25 °C  
P
tot  
5001)  
150  
amb  
Junction Temperature  
T
T
j
Storage Temperature Range  
–65 to +150  
°C  
S
1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case.  
4/98  
123456

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与BC556B-BULK相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC556BD ZETEX

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 		TRANSISTOR,BJT,PNP,65V V(BR)CEO,CHIP / DIE
BC556B-D11Z FAIRCHILD

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 		Transistor
BC556BD26Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC556BD27Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC556BD74Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC556BD75Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC556BDWP DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.017 X 0.017 INCH
BC556B-E6 VISHAY

获取价格

 		100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN
BC556B-E7 VISHAY

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 		100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN
BC556BG ONSEMI

获取价格

 		Amplifier Transistors PNP Silicon

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