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BC556B-D11Z

更新时间： 2024-11-04 14:47:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Transistor

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BC556B-D11Z 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最大集电极电流 (IC)：0.1 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-609代码：e0最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

BC556B-D11Z 数据手册

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BC556/557/558/559/560  
Switching and Amplifier  
•
•
•
High Voltage: BC556, V  
Low Noise: BC559, BC560  
Complement to BC546 ... BC 550  
= -65V  
CEO  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
: BC556  
CBO  
-80  
-50  
-30  
V
V
V
: BC557/560  
: BC558/559  
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: BC556  
: BC557/560  
: BC558/559  
-65  
-45  
-30  
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
-100  
V
EBO  
I
Collector Current (DC)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
mA  
mW  
°C  
C
P
500  
C
T
T
150  
J
-65 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
-15  
Units  
I
V
V
= -30V, I =0  
nA  
CBO  
CB  
E
h
= -5V, I =2mA  
110  
800  
FE  
CE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage I = -10mA, I = -0.5mA  
-90  
-250  
-300  
-650  
mV  
mV  
CE  
C
B
I = -100mA, I = -5mA  
C
B
V
(sat) Collector-Base Saturation Voltage  
I = -10mA, I = -0.5mA  
-700  
-900  
mV  
mV  
BE  
BE  
C
B
I = -100mA, I = -5mA  
C
B
V
(on) Base-Emitter On Voltage  
V
= -5V, I = -2mA  
-600  
-660  
-750  
-800  
mV  
mV  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
= -5V, I = -10mA  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
= -5V, I = -10mA, f=10MHz  
150  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
C
= -10V, I =0, f=1MHz  
6
ob  
E
NF  
Noise Figure  
: BC556/557/558  
: BC559/560  
: BC559  
= -5V, I = -200µA  
2
1
1.2  
1.2  
10  
4
4
dB  
dB  
dB  
dB  
C
f=1KHz, R =2KΩ  
G
V
= -5V, I = -200µA  
CE  
C
: BC560  
R =2KΩ, f=30~15000MHz  
2
G
h
Classification  
FE  
Classification  
A
B
C
h
110 ~ 220  
200 ~ 450  
420 ~ 800  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
1234

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与BC556B-D11Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC556BD26Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC556BD27Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC556BD74Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC556BD75Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC556BDWP DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.017 X 0.017 INCH
BC556B-E6 VISHAY

获取价格

 		100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN
BC556B-E7 VISHAY

获取价格

 		100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN
BC556BG ONSEMI

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 		Amplifier Transistors PNP Silicon
BC556BG ROCHESTER

获取价格

 		100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
BC556B-G WEITRON

获取价格

 		Transistor

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