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BC556BDWP

更新时间: 2024-01-25 16:11:09
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美台 - DIODES 晶体管
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1页 39K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.017 X 0.017 INCH, G2, DIE-2

BC556BDWP 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIE
包装说明:UNCASED CHIP, S-XUUC-N2针数:2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.37
集电极-发射极最大电压:65 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:S-XUUC-N2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:SQUARE封装形式:UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度):235极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1

BC556BDWP 数据手册

  

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