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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC489A
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BC489A

更新时间： 2024-11-12 22:39:27
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 238K
描述
High Current Transistors

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BC489A 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.12Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：1.5 W最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

BC489A 数据手册

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by BC489/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
2
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
3
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
80  
80  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
5.0  
0.5  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
80  
80  
5.0  
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 60 Vdc, I = 0)  
I
100  
nAdc  
CBO  
CB  
E
ON CHARACTERISTICS*  
DC Current Gain  
h
FE  
—
(I = 10 mAdc, V  
= 2.0 Vdc)  
= 2.0 Vdc)  
40  
60  
100  
160  
15  
—
—
160  
260  
—
—
C
CE  
(I = 100 mAdc, V  
CE  
BC489  
BC489A  
BC489B  
400  
250  
400  
—
C
(I = 1.0 Adc, V  
C CE  
= 5.0 Vdc)*  
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle 2%.  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC489AG ONSEMI

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 		High Current Transistors NPN Silicon These ar
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 		500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN
BC489ARL1 MOTOROLA

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