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BC337-XBK

更新时间： 2024-11-04 08:49:23

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管
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2页	93K
描述
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors

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BC337-XBK 数据手册

BC337-xBK / BC338-xBK

General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

NPN

Version 2010-05-27

4.6^±0.1

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

Plastic case

TO-92

Kunststoffgehäuse

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

B E

Special packaging bulk

Sonder-Lieferform Schüttgut

2 x 1.27

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BC337

BC338

30 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open

V_CES

V_CEO

V_EBO

P_tot

I_C

50 V

45 V

25 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

C open

5 V

625 mW ¹)

800 mA

1 A

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Base current – Basisstrom

I_CM

I_B

100 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

Group -16

Group -25

Group -40

h_FE

100

160

250

160

250

400

250

400

630

V_CE= 1 V, I_C= 300 mA

Group -16

Group -25

Group -40

h_FE

100

170

130

200

320

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

V_CEsat

–

0.7 V

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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